Présentation de la dernière génération de MOSFET EliteSiC M3e qui améliorent considérablement l’efficacité énergétique des applications gourmandes en énergie.
Face à l’escalade des crises climatiques et à l’augmentation spectaculaire de la demande énergétique mondiale, les gouvernements et les industries s’engagent à atteindre des objectifs climatiques ambitieux visant à atténuer l’impact sur l’environnement et à garantir un avenir durable.
« L’avenir de l’électrification dépend des semi-conducteurs de puissance avancés »
La transition vers l’électrification pour réduire les émissions de carbone et adopter des ressources énergétiques renouvelables est un élément clé de ces efforts. Dans une étape importante vers l’accélération de cette transition globale, onsemi (Nasdaq : ON) dévoile sa plateforme technologique de carbure de silicium de dernière génération, EliteSiC M3e MOSFET. L’entreprise annonce également son intention de lancer plusieurs générations supplémentaires d’ici 2030. « L’avenir de l’électrification dépend des semi-conducteurs de puissance avancés. L’infrastructure d’aujourd’hui ne peut pas répondre à la demande mondiale de plus d’intelligence et de mobilité électrifiée sans innovations significatives dans le domaine de l’énergie. Il s’agit d’un élément essentiel pour parvenir à l’électrification mondiale et mettre fin au changement climatique », a déclaré Simon Keeton, Group President – Power Solutions Group chez onsemi. « Nous donnons le ton de l’innovation en prévoyant d’augmenter considérablement la densité de puissance dans notre feuille de route technologique sur le carbure de silicium jusqu’à 2030, afin de pouvoir répondre à la demande croissante d’énergie et de permettre la transition mondiale vers l’électrification. »
Les onduleurs solaires et les solutions de stockage d’énergie
Les MOSFET EliteSiC M3e joueront un rôle fondamental dans la performance et la fiabilité des systèmes électriques de nouvelle génération à un coût par kW inférieur, influençant ainsi l’adoption et l’efficacité des initiatives d’électrification. Grâce à sa capacité à fonctionner à des fréquences de commutation et des tensions plus élevées tout en minimisant les pertes de conversion d’énergie, cette plateforme est essentielle pour une large gamme d’applications automobiles et industrielles telles que les groupes motopropulseurs de véhicules électriques, les chargeurs rapides à courant continu, les onduleurs solaires et les solutions de stockage d’énergie. En outre, les MOSFET EliteSiC M3e permettront la transition vers des data centers plus efficaces et de plus forte puissance afin de répondre à la demande d’énergie en croissance exponentielle qui alimente un moteur d’intelligence artificielle durable.
La plateforme de confiance permet un saut générationnel en matière d’efficacité
Grâce à l’ingénierie de conception et aux capacités de fabrication uniques d’onsemi, les MOSFET EliteSiC M3e atteignent une réduction significative des pertes de conduction et de commutation sur l’architecture planaire fiable et éprouvée sur le terrain. Par rapport aux générations précédentes, la plateforme peut réduire les pertes de conduction de 30 % et les pertes de commutation jusqu’à 50 %1. En prolongeant la durée de vie des MOSFET planaires SiC et en offrant une performance de pointe avec la technologie EliteSiC M3e, onsemi peut garantir la robustesse et la stabilité de la plateforme, ce qui en fait un choix privilégié pour les applications d’électrification critiques. Par ailleurs, onsemi fournit un portefeuille plus large de technologies d’alimentation intelligentes, y compris des pilotes de grille, des convertisseurs DC-DC, des e-Fuses et plus encore, à associer à la plate-forme EliteSiC M3e. La combinaison finale d’onsemi de commutateurs de puissance, de pilotes et de contrôleurs optimisés et conçus en commun permet d’obtenir des caractéristiques avancées par le biais de l’intégration, réduisant ainsi le coût global du système.
Accélérer l’avenir de l’énergie
La demande mondiale d’énergie devrait exploser au cours de la prochaine décennie, rendant primordiale la nécessité d’une densité de puissance accrue dans les semi-conducteurs. onsemi est à la pointe de l’innovation dans l’ensemble de sa feuille de route sur le carbure de silicium – des architectures de puces aux nouvelles techniques de conditionnement – qui continuera à répondre à la demande générale de l’industrie en matière de densité de puissance accrue. Avec chaque nouvelle génération de carbure de silicium, les structures cellulaires seront optimisées pour pousser efficacement plus de courant dans une zone plus petite, augmentant ainsi la densité de puissance. Associé aux techniques d’emballage avancées de l’entreprise, onsemi sera en mesure de maximiser les performances et de réduire la taille des emballages. En appliquant les concepts de la loi de Moore au développement du carbure de silicium, onsemi peut développer plusieurs générations en parallèle et accélérer sa feuille de route pour commercialiser plusieurs nouveaux produits EliteSiC à un rythme accéléré jusqu’en 2030. « Nous mettons à profit nos décennies d’expérience dans le domaine des semi-conducteurs de puissance pour repousser les limites de la vitesse et de l’innovation dans nos capacités d’ingénierie et de fabrication afin de répondre à la demande énergétique mondiale croissante », a déclaré Dr. Mrinal Das, Senior Director of Technical Marketing, Power Solutions Group chez onsemi. « Il existe une énorme interdépendance technique entre les matériaux, les composants en carbure de silicium et le boîtier. Avoir la pleine maîtrise de ces aspects clés nous permet de contrôler le processus de conception et de fabrication et de commercialiser les nouvelles générations beaucoup plus rapidement. » Le MOSFET EliteSiC M3e dans le boîtier TO-247-4L standard de l’industrie est en cours d’échantillonnage.
